Кое-что из цифр планов «СБИС-1945» и «СБИС-1950» выплыло…
Во втором плане нам обещают техпроцесс в 14нм и массовое производство по нему. В первом — мир обещают осчастливить масштабным производством микрух на 28–40 нм.
Вот тут меня грызут сомнения…
Реально в Зеленограде уже есть начавшаяся сборка «технологической линии» с первым отечественным литографом (прототип которого вроде как готов) на техпроцессе 350 нм.
Для понимания я поясню на своём личном примере.
У меня дома помимо современных и относительно таковых же компьютеров в домашней сети, есть энное количество старых машин (в т.ч. и более чем четвертьвековой давности с 486-м процессором). Практически (т.е. использовать как юзер и как программист) я готов смириться и продуктивно работать на извлечённой из кладовки старой машине (собранной мной летом 2001) с Celeron-700(урезанный «3-й пень», произведённый на техпроцессе 180нм), с 384 мб ОЗУ и видеокартой GF4MX440 (тоже урезанная дешёвка).
И возвращаться к чему то слабее — ниже уровня моего согласия!
Но отечественный литограф уровня 130нм по плану «СБИС-1945» нам обещают только через год, т.е. в 1943.
И пока это только прототипы… как они собираются в уже 1945 получить 28–40 нм, не говоря про масштабное производство?
Эх… не буду больше ничего говорить. Надеюсь только, что всё будет хорошо. Всё равно больше ничего не остаётся.
На сегодня всё… завтра в бложике тисну продолжение, коснусь ещё фоторезистов, печатных плат и т.д. И, м. б., проясню кое-что непонятное мне по материалам…
СБИС-1945 и СБИС-1950. Часть II. И не только…
Глава 13 — СБИС-1945 и СБИС-1950. Часть II. И не только…
Середина декабря 1942. Запись в бложике на литературном портале author.today автора серии книг про попаданца-программиста к Сталину.
Сегодня продолжение вчерашнего поста… про российскую, какую уж есть — единственную в химеромире микроэлектронику.
Начнём с пары слов о фоторезистах.
Которые до известного момента ан-масс были импортные. Сразу же после хронокатаклизма профильный НИИМЭ из Зеленограда получил финансирование (счёт на миллиарды) на две НИР:
* НИР «Фотолиз»
* НИР «Резист-1»
В первой предлагалось разработать, а затем освоить в производстве фоторезисты под длину волны 248 нм, то есть под литографы, работающие с техпроцессами 350 нм и 130 нм!
(ну вы помните, именно о них я упоминал во вчерашнем посте? Судя по всему, НИР прошла удачно…)
А вот вторая… это создание отечественной технологии получения фоторезиста с чувствительностью к лазерному (ArF) излучению (длиной волны 193 нм) для применения в процессе фотолитографии по техпроцессу 90 нм! (на лучшем в мире ФАБ-е) И она ещё в работе…